SiC MOSFET短路检测与保护研究综述

摘要：

随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET被广泛应用于工业领域,其短路保护也越来越多地为人们所重视.本文首先对SiC MOSFET的短路类型进行讨论,给出不同短路类型下的主要电路波形;然后本文对近年来SiC MOSFET短路检测与保护方法进行概述,详细介绍去饱和检测法、电感检测法、门极电压检测法以及基于罗氏线圈的短路检测法的原理,归纳总结各种检测方案的优缺点;最后提出一种降栅压短路保护电路,实现了SiC MOSFET在短路情况下的两级快速保护.

关键词：SiC MOSFET、短路保护、去饱和检测、降栅压

所属期刊栏目：34

分类号：TM93

资助基金：国家自然科学基金51577025;江苏省智能电网技术与装备重点实验室课题资助项目

在线出版日期：2019-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：4519-4528