基于SiC MOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法

摘要：

针对碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)直流固态断路器关断速度快、关断初期易产生较大电压尖峰及振荡问题,提出一种抑制方法.首先,建立SiC MOSFET等效电路模型,分析其不同寄生电感对固态断路器关断初期电压波形的影响.其次,利用不同电压等级金属氧化物压敏电阻(MOV)吸收能量不同的思想,提出并联MOV作为缓冲电路来抑制断路器关断初期电压尖峰的方法,在分析其工作原理和抑制效果的基础上,提出了选择缓冲 MOV 额定电压的依据.最后,搭建了基于SiC MOSFET直流断路器实验平台,对不同寄生电感、不同器件下的开断特性进行了比较,并对所提方法的有效性进行了验证.结果表明,相比Si IGBT固态断路器,SiC MOSFET固态断路器具有更为严重的电压尖峰和振荡问题,且随着寄生电感的增加越来越严重,所提出的方法可有效抑制其电压尖峰并减弱振荡.

关键词：碳化硅金属氧化物场效应晶体管、直流固态断路器、缓冲电路、金属氧化物压敏电阻

所属期刊栏目：33

分类号：TM56(电器)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项基金项目106112016CDJZR158802;重庆市研究生科研创新项目CYB16020;国家自然科学基金项目51377184,51607016;重庆市科技新星培育工程项目KJXX2017009

在线出版日期：2018-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：1058-1067