10.3969/j.issn.1000-6753.2015.02.015
考虑漏磁效应的新型磁控可调电抗器的磁路建模和特性
为了扩大磁控可调电抗器(Saturable-Core Controllable Reactor,SCCR)的电抗调节范围并保持良好的线性控制特性,设计和研究一种基于磁放大原理的新型磁控可调电抗器结构,该电抗器铁心磁路中设置有气隙.论文分析了该可调电抗器的磁化机理和控制特性,利用三维有限元方法(FEM)计算了新型磁控可调电抗器的磁场分布,建立了考虑漏磁效应的磁控可调电抗器的等效磁路模型.研究结果表明,新型磁控可调电抗器的电抗控制特性线性调节范围宽,对直流偏磁电源容量要求小.通过将仿真计算与样机测试结果比较,验证了所建立等效磁路模型的正确性和有效性,对新型磁控可调电抗器的设计和应用具有参考价值.
磁控可调电抗器、有限元分析、磁路模型、漏磁效应、控制特性
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TM315(电机)
国家自然科学基金51177056;中国博士后科学基金2011-M501188
2015-05-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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