基于红外成像的瓷支柱绝缘子发热规律研究

摘要：

为分析瓷支柱绝缘子异常发热的主导诱因,在实验室内,对局部发热明显的试品在未经处理、干燥与浸泡处理等三种不同状态下分别施加20kV工频电压,记录不同时长下的红外热像分布图和泄漏电流.研究表明:该试品发热的主要原因为水分子通过裂纹侵入瓷体,在电场作用下产生转向极化所致.在未经处理、浸泡处理后,试品异常发热区域最热点温度和温升变化可分为上升、下降、小幅振荡及稳定等四个阶段.在浸泡处理后,试品发热区域最热点温度和温升同未经处理、干燥两种状态下的数据相比,数值绝对值增加明显.浸泡处理后的泄漏电流变化同最热点温度变化过程基本一致,但上升、下降、小幅振荡过程呈现出持续时长短、拐点出现时间早的特点.

关键词：瓷支柱绝缘子、微裂纹、红外热像、泄漏电流、发热规律

所属期刊栏目：28

分类号：TM855(高电压技术)

资助基金：国家重点研究基础发展计划973计划2009CB724508;中央高校基本科研业务费专项13MS71,13ZD14

在线出版日期：2014-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：130-135