HVDC换流系统屏蔽罩寄生电容提取
高压直流输电(HVDC)换流阀屏蔽罩的寄生电容对换流系统的宽频电路性能有重大影响,快速准确地提取屏蔽罩电容参数是目前HVDC国产化需要掌握的关键技术之一.将间接边界元方法用于换流阀屏蔽罩寄生电容参数的提取,从场分析角度,提出了用平面模拟倒角曲面的模型简化方法.针对国内某直流换流站,建立了屏蔽罩倒角和不倒角的仿真模型,对比计算了不同倒角情况下的寄生电容,分析了倒角对电容参数的影响.计算结果表明,该模型简化方法保证了计算精度,降低了建模难度和计算代价,为大尺寸金属架构的电容计算提供了一种便捷、可行的方法.
寄生电容、屏蔽罩、倒角、边界元、提取
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TM151.3(电工基础理论)
2014-03-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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