基于H桥拓扑结构的励磁电流放大器

摘要：

利用H桥电路拓扑构建励磁电流放大器,该拓扑结构只需要两个IGBT功率管,结构简单,有效缩减了励磁设备的体积并降低了成本.建立了该放大器的数学模型和仿真模型,给出了相应的仿真和试验结果.仿真和试验表明,H桥拓扑结构的励磁电流放大器,具有快速动态性能,对直流电源输出电流幅值的要求低且放电速度快.该电流放大器的PWM控制信号的占空比D在0.5～0.8之间,弥补了Buck电路放电较慢和在特殊工况时PWM占空比较小的不足.

关键词：励磁电流放大器、H桥拓扑结构、占空比、PI控制

所属期刊栏目：24

分类号：TM464(变压器、变流器及电抗器)

在线出版日期：2009-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：114-118