反并联二极管对IGCT关断过程的影响

摘要：

IGCT是一种基于GTO结构并利用集成门极电路进行硬驱动控制的大功率半导体开关器件.在IGCT关断过程中,其门极换流有可能使反并联在IGCT两端的二极管因正向偏置而导通,从而对IGCT的关断过程产生显著的影响.本文从介绍IGCT工作原理入手,结合解释门极换流过程,对IGCT关断过程中反并联二极管的工作和由此产生的影响进行了分析,并通过实验结果对此进行了验证.

关键词：IGCT、集成门极、硬驱动、反并联二极管、反向恢复

所属期刊栏目：22

分类号：TN34(半导体技术)

在线出版日期：2008-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：125-129