用磁环抑制GIS的VFTO的高电压模拟试验

摘要：

研究了用磁环抑制全封闭组合电器(GIS)的特快速暂态过电压(VFTO).通过高电压模拟试验,观测了铁氧体、非晶磁芯和金属磁粉芯三种材料的磁环,特别观测了磁饱和的影响.试验结果表明,在适当的参数配合下,磁环能够有效抑制特快速暂态过电压的幅值和陡度.

关键词：全封闭组合电器(GIS)、特快速暂态过电压(VFTO)

所属期刊栏目：19

分类号：TM595(电器)

资助基金：国家自然科学基金50077012;国家机械工业局攻关项目97-312-02-04A

在线出版日期：2004-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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