一种SiC MOSFET并联的稳态电-热分布预测模型

摘要：

SiC MOSFET分立器件的并联已在中大功率的电力电子设备中广泛使用,为充分利用并联使用的优势,避免不当并联可能产生的电-热失衡现象,需提前预测开关管并联工作时的稳态电-热分布情况.而由于半导体器件在生产过程中的差异性不可避免,即使是同一厂商生产的同一型号SiC MOSFET,在关键参数如阈值电压UTH和导通电阻RDS(ON)上都有所差异,而这些参数正是影响器件并联动静态电流分布和电-热分布的关键参数.本文研究了影响器件并联动静态电流分布和电-热分布的因素以及关键参数的温度分布特性,并在此基础上提出了一种电-热分布特性的预测模型,最后搭建了实验平台验证了预测模型的准确性.

关键词：SiC MOSFET;并联开关管;电-热分布预测模型

所属期刊栏目：40

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;常州大学2020年校级教研课题项目

在线出版日期：2022-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1-9