铜互连阻挡层化学机械抛光时互连线厚度的控制

摘要：

集成电路铜互连沟槽内互连线厚度(THK)影响着集成电路的性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一.基于无氧化剂、无缓蚀剂的碱性抛光液,研究了铜螯合剂 FA/O Ⅱ、介质促进剂柠檬酸钾(CAK)和抑菌剂 1,2-苯并异噻唑啉-3-酮(BIT)对铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)中Cu去除速率和TEOS(正硅酸乙酯)去除速率及THK的影响.结果表明,THK受TEOS与Cu 去除速率选择比的影响,与铜电阻呈负相关的关系.当 FA/O Ⅱ质量分数为 0.8%、CAK 质量分数为 1%及 BIT 质量分数为0.04%时,TEOS与Cu的去除速率比约为1.7,THK和电阻分别为225 nm和0.18 Ω,均满足工业生产要求.

关键词：铜互联、阻挡层、化学机械抛光、互连线厚度、去除速率、电阻

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;天津市科技计划项目

在线出版日期：2023-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：57-64