碱性阻挡层抛光液中ULK介质抛光性能的研究

摘要：

研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的Si02磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响.所用抛光液(pH = 10)主要由0％-4％(质量分数,下同)SiC2、0.075％H202、1％邻苯二甲酸氢钾和不同质量浓度的表面活性剂组成,其中表面活性剂为非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-9和AEO-15)、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)和两亲性非离子表面活性剂辛基苯酚聚氧乙烯醚(OP-50).结果表明,磨料质量分数的增大会使ULK介质的去除速率和k值都增大.聚醚类表面活性剂都能在CMP过程中很好地保护ULK介质表面,降低其去除速率,OP-50的效果尤其好.当采用2％Si02+0.075％H202+1％KHP+200 mg/L OP-50的抛光液进行CMP时,ULK介质的去除速率为5.2 nm/min,k值增幅低于2％,Cu和Co的去除速率基本不变.

关键词：超低介电常数介质、化学机械抛光、去除速率、碱性抛光液

所属期刊栏目：40

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：河北省高层次人才资助项目百人计划项目E2013100006

在线出版日期：2021-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：102-108