化学机械抛光中Co/Ti电偶腐蚀与去除速率选择性研究

摘要：

通过电化学测试研究了pH、配位剂(柠檬酸钾)和缓蚀剂[包括1,2,4-三氮唑(TAZ)和3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑(AMTA)]对Co/Ti电偶腐蚀的影响.结果表明,溶液pH升高会增大Co与Ti之间的腐蚀电位差.当pH=8时,加入0.5％(质量分数)柠檬酸钾会加剧Co和Ti之间的电偶腐蚀,而再加入缓蚀剂TAZ或AMTA能够抑制电偶腐蚀.由化学机械抛光(CMP)结果可知,随着TAZ或AMTA质量分数的提高,Co和Ti的去除速率都降低.抛光液中加入质量分数为0.1％的TAZ或AMTA时,Co与Ti的去除速率比分别为1.064和1.098.

关键词：钴、钛、缓蚀剂、电偶腐蚀、化学机械抛光

所属期刊栏目：40

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家科技重大专项资助项目;天津自然科学基金

在线出版日期：2021-03-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：48-53