光催化氧化对GaN材料腐蚀电化学及化学机械抛光的影响

摘要：

考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为.结果显示,GaN在溴酸钾质量分数为1％时腐蚀电位最低.在此基础上使用光催化氧化法能够显著降低腐蚀电位,使GaN材料的腐蚀速率进一步提高.CMP实验结果显示:紫外光(UV)的加入使GaN在1％KBrO3溶液(pH=4)中的抛光速率提高,而再加入光催化剂二氧化锡(SnO2)会使得GaN材料的抛光速率进一步提高.当KBrO3质量分数为1％,pH=4时加入紫外光和0.2％(质量分数)SnO2,GaN材料的抛光速率可达502.4 nm/h,抛光后晶片表面的均方根粗糙度为0.11 nm.

关键词：氮化镓、溴酸钾、腐蚀电化学、化学机械抛光、光催化氧化、表面粗糙度

所属期刊栏目：40

分类号：TQ133.51

资助基金：河北省高层次人才资助项目百人计划项目E2013100006

在线出版日期：2021-03-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：41-47