活化过硫酸钾氧化法对提高钌CMP去除速率的作用

摘要：

针对Cu互连集成电路中新型阻挡层金属材料钌(Ru)在化学机械抛光(CMP)中去除速率低的问题,在SiO2-KIO4体系抛光液中研究了硫酸钾(K2SO4)、硝酸钾(KNO3)和过硫酸钾(K2S2O8)对钌去除速率的影响.结果表明,在钾离子浓度相同的条件下,3种钾盐都可以提高Ru的去除速率,其中K2S2O8的提升效果最明显,抛光后Ru的表面粗糙度也最小.

关键词：钌、化学机械抛光、过硫酸钾、去除速率、表面粗糙度

所属期刊栏目：39

分类号：TG175(金属学与热处理)

资助基金：国家中长期科技发展规划02科技重大专项2009ZX02308

在线出版日期：2021-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1667-1670