硅通孔化学机械平坦化中铜去除的电化学与选择性研究

摘要：

利用极化曲线测量法研究了甘氨酸和过氧化氢浓度及pH对硅通孔(TSV)化学机械平坦化(CMP)中铜腐蚀的影响.结果表明:甘氨酸对铜的腐蚀随其浓度增大而增强;随着过氧化氢浓度增大,铜腐蚀电位逐渐增大;在pH为10时铜的腐蚀效果最佳.CMP实验表明,在不同浓度的甘氨酸和过氧化氢之下,抛光速率可调,达1.9～5.8μm/min,铜表面粗糙度为5～29 nm,铜钽去除速率比为20～50.

关键词：硅通孔、化学机械抛光、铜、腐蚀、电化学、表面粗糙度、材料去除速率

所属期刊栏目：39

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2020-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：554-559