10.19289/j.1004-227x.2019.05.006
调制比对磁控溅射Ti/TiN多层膜组织结构和结合力的影响
通过固定薄膜厚度与调制周期,改变Ti与TiN调制比(分别为1∶3、1∶5、1∶9和1∶11),采用反应磁控溅射法在硅片上制备Ti/TiN多层膜,研究调制比对薄膜微观组织结构及薄膜与基体结合力的影响.用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的晶体结构,用扫描电镜(SEM)观察薄膜的形貌,用纳米压痕仪测试薄膜的硬度,用纳米划痕仪测试薄膜与基体之间的结合力.结果表明:多层膜中 TiN 出现(220)晶面择优取向,Ti/TiN 薄膜为柱状晶方式生长.柱状晶的细化程度随调制比的变化而发生周期性变化,柱状晶组织细化程度高的样品具有更高的硬度,但结合力更低.
钛、氮化物、多层膜、反应磁控溅射、调制比、结合力
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TG174.444(金属学与热处理)
2019-08-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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