10.19289/j.1004-227x.2018.15.005
高熵合金AlCrNbSiTiV氮化物薄膜溅镀参数的优化
以AlCrNbSiTiV为靶材,用反应式磁控溅镀系统分别在住友BNX20刀具和硅晶片上沉积高熵合金氮化物(AlCrNbSiTiV)N薄膜.采用田口方法的L9(34)正交表考察了沉积时间、基材偏压、溅射功率和基材温度对沉积速率、薄膜硬度和刀具寿命的影响,通过方差分析(ANOVA)确定了影响各性能的主要因素.对信噪比(S/N)进行灰关联分析以实现多目标优化,得出最佳工艺参数为:沉积时间20 min,基材偏压-100 V,溅射功率250 W,基材温度400°C.在该条件下,沉积速率为17.28 nm/min,薄膜硬度达到2814 HV,刀具寿命2.50 m.
高熵合金、氮化物、薄膜、刀具、直流反应式磁控溅射、田口方法、灰关联分析、多目标优化
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TG13;TG174.44(金属学与热处理)
2018广东大学生科技创新培育资金立项项目pdjhb0901;广东省教育厅2017年度特色创新类项目2017GGXJK094;2018东莞市社会科技发展项目20185071561262
2018-09-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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