RGO/In2S3复合修饰TiO2纳米管阵列及其光催化应用

摘要：

采用脉冲电沉积法将In2S3纳米粒子沉积在TiO2纳米管阵列(NTs)上,得到In2S3-TiO2 NTs.然后通过脉冲电沉积法将石墨烯薄膜修饰在In2S3-TiO2 NTs上,制备出RGO/In2S3-TiO2 NTs复合材料.通过光电流测试和2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)降解试验表征了RGO/In2S3-TiO2 NTs的光电性能和光催化性能.结果表明:相对于纯TiO2 NTs,RGO/In2S3-TiO2 NTs复合材料的光生电子-空穴对的复合率更低,对可见光的吸收更强.光催化180 min后,RGO/In2S3-TiO2 NTs复合材料对2,4-D的降解效率高达93.36％,重复使用5次后仍有90.70％.

关键词：二氧化钛纳米管阵列、三硫化二铟、石墨烯、脉冲电沉积、修饰、光催化、2、4-二氯苯氧乙酸、降解

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分类号：O644.19;TQ426.64(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金青年基金51608175;河南省教育厅科学技术研究重点项目17B610004,15A150043

在线出版日期：2018-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：661-666