基板偏压对溅镀AlCrNbSiTiV高熵合金氮化物薄膜性能的影响

摘要：

用真空电弧熔炼法制备了AlCrNbSiTiV高熵合金,并将其作为靶材,利用直流反应式磁控溅镀法在T1200A金属陶瓷刀具或硅晶片上沉积了高熵合金氮化物薄膜.通过扫描电镜、能谱仪、X 射线衍射仪和纳米压痕仪考察了基板偏压对薄膜形貌、元素含量、物相成分和性能的影响.所得氮化物薄膜均匀、致密,所有元素的原子分数与靶材相当.由于再溅射,沉积速率随着基板偏压增大而减小.薄膜的弹性恢复和显微硬度在基板偏压为0 ~ -100 V时随着偏压增大而提高,进一步增大偏压反而减小.相比未溅镀薄膜的刀具,用溅镀了AlCrNbSiTiV氮化物薄膜的刀具干切削S45C中碳钢圆柱工件,工件表面的粗糙度和刀具的侧面磨损显著降低.-100 V偏压溅镀的刀具的切削性能最佳.

关键词：金属陶瓷刀具、高熵合金、铝铬铌硅钛钒、氮化物薄膜、反应式磁控溅镀、基板偏压、切削

所属期刊栏目：37

分类号：TG131(金属学与热处理)

资助基金：广东大学生科技创新培育资金立项课题"溅镀高熵合金氮化薄膜提升刀具寿命的研究";东莞职业技术学院校级教改重点项目"机械类学生创新创业实践能力的培养"

在线出版日期：2018-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：122-128