盐酸胍对钌在含双氧水的二氧化硅水溶胶中化学机械抛光的影响

摘要：

根据Zeta电势测量、极化曲线测量和原子力显微镜观察的结果,探讨了盐酸胍(GH)在Ru化学机械抛光(CMP)过程中的作用.结果表明:在pH=9的5％ SiO2+ 0.15％ H2O2抛光液中,GH的添加可以大幅度提高钌的去除速率.当GH浓度为80 mmol/L时,钌的去除速率最佳.在相同浓度下,GH对Ru去除速率的提高效果优于KC1,皆因GH除了可以提升SiO2颗粒对Ru表面的机械作用之外,还能加速Ru腐蚀.

关键词：钌、化学机械抛光、硅溶胶、双氧水、盐酸胍、极化曲线、去除速率

所属期刊栏目：36

分类号：TG176;TG178(金属学与热处理)

资助基金：河北省研究生创新项目;国家中长期科技发展规划;国家自然科学基金

在线出版日期：2017-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：915-919