电沉积方式对铌表面熔盐渗硅的影响

摘要：

采用由氯化钠、氯化钾、氟化钠和二氧化硅(摩尔比为1:1:3:0.3)组成的熔盐,分别以直流、单脉冲、换向脉冲的电沉积方式在纯铌表面渗硅.对比研究了不同电沉积方式下所得渗硅层的厚度、成分、组织、相结构和抗氧化性.结果表明,渗硅层厚度按照单脉冲、换向脉冲、直流电沉积的方式依次降低.与直流和单脉冲电沉积相比,换向脉冲方式所得渗硅层的组织更加致密、平整.电沉积方式对渗硅层的相结构无影响,所得渗硅层均由单相NbSi2组成,并在(110)和(200)晶面上择优生长.换向脉冲方式制备的渗硅层抗高温氧化性能最好.

关键词：铌、渗硅、熔盐、电沉积、直流、脉冲、高温氧化

所属期刊栏目：34

分类号：TG146.416(金属学与热处理)

资助基金：河北省自然科学基金E2014209275

在线出版日期：2015-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1160-1165,后插1