氧化镍纳米线的制备及光电性能研究

摘要：

通过电沉积法在阳极氧化铝(AAO)模板内制备了镍纳米线,然后在800℃下氧化8 h得到NiO纳米线.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对NiO纳米线的组成、结构和形貌进行了表征,并测试了NiO/AAO阵列体系的光电压.测试结果表明:NiO纳米线为面心立方结构,平均晶粒尺寸为50 nm,纳米线直径约90nm,与模板孔径相当;长度约为25 μm,并受镍纳米线沉积时间的影响;在紫外灯(365 nm)照射下,40V比60V NiO/AAO阵列体系的光电压大.

关键词：电沉积、氧化镍纳米线、光电性能、光电压、面心立方、晶粒尺寸

所属期刊栏目：25

分类号：TQ15

资助基金：国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研基金

在线出版日期：2007-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17