铜/钴纳米多层膜的电化学制备及表征

摘要：

纳米金属多层膜由于其巨磁电阻性能而受到人们的重视.采用双脉冲控电位技术在单晶硅上沉积铜/钴纳米多层膜.测量了电沉积过程中的阴极极化曲线及电流-时间曲线,确定了沉积电位;利用扫描电子显微技术及X射线衍射技术观察了沉积层的断面形貌及晶体结构.结果表明,沉积层结构清晰、连续,各子层厚度均匀.

关键词：铜/钴、纳米金属多层膜、电沉积

所属期刊栏目：21

分类号：TQ153.2;TG176

资助基金：国家自然科学基金50071039

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-3,48