微细凹槽电沉积铜工艺及影响因素研究

摘要：

微细凹槽内无空洞和缝隙缺陷铜填充是集成电路芯片铜布线制造工艺技术需解决的关键问题.采用酸性镀铜工艺,在镀铜硅片上开展了微细凹槽内电沉积铜填充研究;采用正交试验法和单因素实验,分析了电沉积过程中重要因素的影响排序和作用机理.研究结果表明,各影响因素数值的增加均能提高凹槽的填充率,电流密度和加速剂浓度的增加可以提高凹槽的填充速率,而电镀时间和整平剂浓度的增加以及过大的加速剂浓度则会降低填充速率.

关键词：凹槽填充、电沉积、正交试验、填充率

所属期刊栏目：44

分类号：TQ153.1+4

资助基金：浙江省公益基金项目No.LGG22E010002

在线出版日期：2022-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：30-35