磁控溅射偏压对Cr薄膜密度以及表面形貌的影响

摘要：

利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品.用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射线反射率分析法研究了不同偏压下Cr薄膜密度的变化.发现当偏压小于300V时,偏压对所沉积的薄膜起到紧致的效果,偏压为300V时薄膜密度最大;当偏压大于300V时,薄膜密度减小.另外,为了探究偏压对薄膜表面形貌的影响,用扫描电子显微镜对各样品进行了表面分析,发现在偏压较小时薄膜表面较为平整;随着偏压增大,表面呈现界面分明的岛状分布.

关键词：X-射线反射率分析、铬薄膜、密度、表面形貌、磁控溅射、偏压

所属期刊栏目：38

分类号：O434.19;TB31(光学)

在线出版日期：2016-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-3,8