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10.3969/j.issn.1008-7923.2009.06.006

锂离子电池的保护系统

引用
介绍了一种单芯锂离子或锂聚合物电池供电系统的专用保护复合芯片,该芯片集成了保护电路芯片和N沟道MOSFET(Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor,即:金属氧化物半导体场效应管)开关芯片,从而最大限度地减少了外围元器件需求,降低制造成本并提高产品的可靠性.经测试,其实现了过充电电压、过放电电压的保护,过充电电流、过放电电流的保护,短路保护等各项功能,且工作时功耗非常低.该芯片不仅用于手机设计,也适用于任何需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合,有较好的实用价值和推广价值.

金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、通常状态、过充电、过放电

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TM912.9

2010-04-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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电池工业

1008-7923

32-1448/TM

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2009,14(6)

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