一种长复位时间带低压探测的 POR 电路设计

摘要：

应用层次化设计的方法，设计出具有低电源电压探测功能和长复位时间的上电复位电路。通过改变MOS电容的大小和施密特触发器的阈值电压，调节复位时间，产生的复位信号持续时间长。设计中嵌入了低压检测电路，外界干扰导致供电电压降低时，同样会产生复位信号。电路运用MOS管设计，版图面积大大缩小。在Cadence Spectre下采用0．5μm BCD工艺对设计电路进行仿真：5 V电源电压、典型工艺角及常温下，复位时间持续19．623 ms；供电电压降至3．8 V以下，产生的复位信号持续时间为20．079 ms，该设计提高了芯片工作的可靠性。

关键词：上电复位、BCD、低压探测、长复位时间

分类号：TN492(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-18