p型ZnO薄膜的研究进展

摘要：

ZnO是一种多用途的半导体材料,一直受到国内外学术界的广泛关注.自1997年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来,ZnO薄膜的制备及其光电子特性的研究成为新的研究热点.由于ZnO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地进行p型元素的掺杂.本文介绍了ZnO薄膜p型掺杂的理论和国内外通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析.

关键词：ZnO薄膜、p型掺杂、马德隆能、自补偿效应

所属期刊栏目：18

分类号：O472.3(半导体物理学)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：44-48