多孔硅的半峰全宽小于3.8 nm的针形发光峰

摘要：

通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究它的发光峰形状的变化.从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰全宽均小于3.8nm.声空化所引发的特殊物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅提供了一条重要途径.实验结果表明,声空化处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术.

关键词：多孔硅膜、超声波、光致发光

所属期刊栏目：21

分类号：O471.1(半导体物理学)

资助基金：湖南省自然科学基金04JJ3030;湖南省教育厅资助项目03B006

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：77-80