10.3969/j.issn.1671-8348.2018.26.019
移动元件ISEcp1介导blaCTX-M转座机制的分析研究
目的 探索ISEcp1转座单元的类型及其转座机制.方法 采用BLAST比对分析GenBank库中ISEcp1及其下游blaCTX-M所处的基因环境.通过ResFinder预测耐药基因,BLASTN/BLASTP等对ORF和假基因进行核实与信息完善,并利用ISfinder对移动元件进行精细注释,最后运用Inkscape 0.48.1绘图.结果 blaCTX-M常位于移动元件ISEcp1下游,二者可形成完整的转座单元,该转座单元主要可分为6类,即:I SEcp1-blaCTX-M-△orf477转座单元、ISEc1-blaCTX-M-IS90 3-△iroN转座单元、ISEcp 1-blaCTX-M转座单元、ISEcp1-blaCTX-M-or f3转座单元、ISEcp1-blaCTX-M-orfX转座单元和ISEcp 1-bla CTX-M-△IS26-o rf 222转座单元.ISEcp1中的P1为强启动子,调控下游blaCTX-M的表达.结论 ISEcp1可通过捕获不同的基因形成相应的转座单元,这些转座单元在blaCTX-M的传播和表达的过程中起重要作用.
ISEcp1、blaCTX-M、转座单元、P1、表达
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R446.5(诊断学)
国家自然科学基金资助项目81501779;河南省高等学校重点科研项目18A320024;开封市发展计划科技攻关项目1703006
2018-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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