生理缓冲液应用于微流控芯片分析系统中的电学特性的研究

摘要：

目的 本研究通过绘制TE缓冲液的伏安曲线和电流-时间曲线,对芯片内TE缓冲液的伏安特性和稳定性进行了讨论.方法 对高场强下TE缓冲液体系的电流变化进行监测.结果 在本实验加电压范围之内(0～5 000V),不同pH值的TE缓冲液在同一芯片上均显示出良好的伏安线性;在连续高场强的作用下,随着加压时间的延长,两种不同pH值的缓冲液的电流均显示出了相同的变化趋势:即在经过了一定的稳定期后,电流急速下降后又急速上升,且极不稳定.结论 在以电渗流为驱动的芯片系统中,选用TE缓冲体系有着巨大的优势.另外,长时间的连续施加高电压可能会使通道内的液体性质发生改变,继而影响其内发生的生物化学反应.

关键词：微流控芯片、电渗流、伏安特性、稳定性、TE缓冲液、V-I曲线、I-T曲线

所属期刊栏目：35

分类号：R446(诊断学)

在线出版日期：2006-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1872-1874