10.3969/j.issn.1673-825X.2007.06.007
一种高阶曲率补偿的带隙电压基准
设计了一种高阶曲率补偿的带隙电压基准.基于一阶曲率补偿的带隙电压基准,利用三极管基极发射极电压VBE与温度T的非线性关系,将温度特性为k1T+k2TlnT的电压与一阶曲率补偿后的带隙电压相加.运用Cadence工具、TSMC 0.35 μm工艺和器件模型进行了仿真,工作电压为3 V,在-50~150 ℃宽温度范围内,一阶曲率补偿带隙电压基准的温度系数为 13 ppm/℃,而运用高阶曲率补偿后带隙电压基准的温度系数减少到 3.1 ppm/℃.
带隙电压基准、高阶曲率补偿、温度系数、电源抑制比
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TN409(微电子学、集成电路(IC))
2008-04-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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