一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计

摘要：

通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程,分析了关键工艺技术,器件性能达到fT=8.5 GHz,β=60,BVCEO=8 V.该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路.

关键词：双层多晶硅、自对准、PNP、互补双极

所属期刊栏目：19

分类号：TN710.2(基本电子电路)

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：669-673