VDMOS器件总剂量辐照阈值电压影响因素分析

摘要：

介绍了利用γ射线在不同偏置电压和不同辐照温度条件下,对不同导电沟道功率VDMOS器件进行总剂量辐照实验,从而分析研究这两种情况下器件总剂量辐照阈值电压的漂移情况.根据实验数据结合VDMOS器件物理特性分析得出:偏置电压相同时,导电沟道不同其阈值电压的漂移不同,而低温辐照则使得阈值电压漂移更加严重.

关键词：γ射线、VDMOS、阈值电压漂移、总剂量辐照

所属期刊栏目：26

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2010-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-37