钒掺杂氧化钨纳米线的制备与电致变色/储能性能

摘要：

与 Nb同族的 V元素离子半径略小于 W离子的半径,掺杂 V元素可以提高氧化钨纳米线的离子扩散速率和结构稳定性.采用磁控溅射法和水热法制备 V掺杂氧化钨纳米线薄膜,并通过场发射扫描电子显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和电化学测量装置探究不同 V掺杂量对样品形态、成分以及电致变色性能等方面的影响.结果表明:通过适当的 V掺杂,样品的光学性能得到了提升.当 V掺杂量为 0.1%(原子分数)时,氧化钨薄膜表现出最佳的电致变色性能.晶面间距、V—O键的加强和氧空位浓度等因素是影响氧化钨薄膜电致变色性能的关键因素.本工作将为 V掺杂氧化钨纳米线结构作为电致变色材料和器件的研究提供有益参考.

关键词：V元素、氧化钨、纳米线、电致变色

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分类号：O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金;安徽省高校自然科学研究重点项目;安徽省高校自然科学研究重点项目;安徽省高校自然科学研究重点项目;安徽省省级质量工程项目;安徽省省级质量工程项目

在线出版日期：2023-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：178-187