退火温度对PECVD法制备SiO2/Si3N4光学薄膜性能的影响

摘要：

基于多层光学薄膜的基本原理及算法,采用等离子体增强化学气相沉积方法在GaAs衬底上制备SiO2/Si3 N4双层减反射膜,通过原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-可见分光光度计对薄膜的形貌、结构及光学性能进行表征,研究不同退火温度对薄膜性能的影响.结果表明:退火前后薄膜均为结晶态;随着退火温度升高,薄膜反射率及粗糙度逐渐降低,700℃时薄膜平均反射率及粗糙度最低,分别为12.65％和1.64 nm;退火后光谱曲线往短波方向移动了30 nm,呈现典型的"蓝移"现象,表明退火后薄膜光学厚度逐渐降低.

关键词：减反射膜、GaAs基太阳能电池、等离子体增强化学气相沉积、退火

所属期刊栏目：48

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：GF基础科研计划项目JCKY2017210B028

在线出版日期：2020-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：75-81