等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展

摘要：

石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能.为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要.等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原位生长的优势,成为未来石墨烯制备方面较具潜力的发展方向之一.本文综述了PECVD技术制备石墨烯的发展,重点讨论了PECVD过程中等离子体能量、生长温度、生长基底和生长压力对石墨烯形核及生长的作用,概述了PECVD制备石墨烯的形核及聚结机制、刻蚀和边缘生长竞争两种不同机制,并指出PECVD技术制备石墨烯面临的挑战及发展.在未来的研究中,需突破对石墨烯形核及生长的控制,实现低温原位的大尺寸、高质量石墨烯薄膜的可控制备,为PECVD基石墨烯器件在电子等领域的应用奠定基础.

关键词：石墨烯、等离子体增强化学气相沉积、形核及生长、生长机制

所属期刊栏目：48

分类号：TQ127.1+1

在线出版日期：2020-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：36-44