SiCNW-Cf/LAS复合材料的制备和电磁波吸收性能

摘要：

采用热蒸发法,以乙炔黑为碳源,在碳纤维(Cf)布上制备不同摩尔硅碳比的SiC纳米线(SiCNW).通过浆料浸渍及真空烧结工艺,以不同摩尔硅碳比下制备的SiCNW-Cf作为中间夹层制备SiCNW-Cf/LAS(Li2O-Al2O3-SiO2)复合材料.结果表明:随着摩尔硅碳比的减小,SiCNW的直径不断减小,产量先增加后减小,并在摩尔硅碳比为1:3时达到最高.摩尔硅碳比为1:1时,所制备的SiCNW-Cf/LAS具有对电磁波的最低反射损耗-40.9 dB(7 GHz,3 mm).摩尔硅碳比为1:3时,所制备的SiCNW-Cf/LAS具有吸收电磁波的最大有效带宽4.61 GHz(Ku波段,1.5 mm).SiCNW-Cf/LAS复合材料优异的吸波性能归因于其对电磁波较高的介电损耗、散射损耗以及LAS对材料与空间阻抗匹配的调整.

关键词：SiCNW-Cf/LAS、不同摩尔硅碳比、吸波性能、电磁波损耗机理

所属期刊栏目：48

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金项目51372052 ,51772060 ,51302050

在线出版日期：2020-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：41-48