含氢硅油制备SiC晶须的研究

摘要：

以高含氢硅油为原料,在石墨基体上生长出SiC晶须.主要研究石墨基体的表面状态和加热温度对SiC晶须生长的影响,探究SiC晶须形成过程.影响SiC晶须形核和生长的主要因素为热处理温度,随着热处理温度的升高,SiC晶须的结晶产量也相应增高.石墨基体的表面状态对SiC晶须的形成也有一定的影响,随着石墨基体缺陷提供形核点的增多,SiC晶须的结晶产量提高,并且出现相互搭接的现象.SiC晶须的形成过程分为形核和生长两个部分,低温形核,高温生长,遵循VLS(气-液-固)生长机理.

关键词：SiC晶须、热处理温度、基体表面状态、生长机理

所属期刊栏目：45

分类号：TB33(工程材料学)

资助基金：河北省自然科学基金青年基金E2016209327;华北理工大学大学生创新创业训练计划项目X2016165;河北省科技计划项目16211505

在线出版日期：2017-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：59-64