退火条件对Sn掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

摘要：

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备Sn掺杂ZnO薄膜(SZO薄膜).研究空气退火、低真空退火、高真空退火、氮气退火、三高退火、循环退火6种不同退火条件对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明:6种不同的退火条件制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有c轴择优取向生长的特性.高真空退火下,SZO薄膜的结晶状况和电学性质最优,最低电阻率可达到5.4×10-2Ω·cm.薄膜的可见光区平均透过率均大于85％.薄膜在390nm和440nm附近(325nm光激发下)都出现光致发光峰,在空气、氮气、低真空中退火后薄膜440nm处发光强度最为显著.

关键词：溶胶-凝胶、Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜、退火条件、光电性能

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分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目51472205;商洛学院科研基金项目14SKY009

在线出版日期：2017-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：19-23