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10.11868/j.issn.1001-4381.2015.001515

Zn1-xMnxS稀磁半导体的合成与光学性能

引用
通过水热法制备不同掺杂浓度的Zn1-xMnxS(x=0.00,0.02,0.05,0.07)稀磁半导体材料,研究Mn2+掺杂浓度对ZnS纳米棒微观结构和光学性能的影响.采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线能量色散分析谱仪(XEDS)和紫外可见吸收光谱(UV-vis)对样品的晶体结构、形貌和光学性能进行表征.结果表明:制备的所有样品均具有结晶良好的纤锌矿结构,没有杂峰出现,生成纯相Zn1-xMnxS纳米晶.样品形貌为纳米棒状结构,分散性良好.掺杂的Mn元素进入到ZnS纳米晶中,Mn2+替代了Zn2+,而且随着Mn掺杂量的增加晶格常数减小.同时 UV-vis光谱发现样品的光学带隙增大,发生了蓝移现象.

稀磁半导体、Zn1-xMnxS、水热法、光学性能

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TB383(工程材料学)

国家自然科学基金资助项目51261015;甘肃省自然科学基金资助项目1308RJZA238

2017-08-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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材料工程

1001-4381

11-1800/TB

45

2017,45(7)

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