退火温度对Ge/SiO2多层膜的结构和光学性能的影响

摘要：

采用磁控溅射技术在石英衬底上制备出(Ge/SiO2)15多层膜,并在不同温度下对其进行退火处理.XRD和Raman结果表明:溅射态的薄膜为非晶态,当退火温度为500℃时开始出现明显的结晶衍射峰,随后晶化率明显增大,当600℃后,薄膜的晶化率几乎不变.FESEM和小角度X射线衍射结果表明:溅射态薄膜的层与层之间存在明显的界面,具有良好的周期性,升高退火温度,晶粒尺寸增大,但仍保持周期性结构.薄膜的紫外可见光吸收光谱表明:随着退火温度的升高,吸收边发生红移,光学带隙从溅射态的1.86eV减小到600℃时的1.59eV.

关键词：Ge/SiO2多层薄膜、射频磁控溅射、退火温度、UV-VIS光谱、小角度X射线衍射

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：江苏省自然科学基金项目BK2009379

在线出版日期：2014-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：32-38