基于第一性原理方法研究基团在CVD金刚石薄膜(001)表面上的生长

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究CVD金刚石薄膜(001)表面的生长机理.计算清洁金刚石表面和氢(H)终止金刚石表面的构型.考察H原子和活性基团(C,CH,CH2和CH3)在清洁重构金刚石表面及在单层H终止金刚石表面上的吸附演变.结果表明:清洁金刚石表面发生了对称二聚体重构,H原子终止金刚石表面稳定了金刚石结构;基团在金刚石(001)表面吸附演变过程中,H原子起到激活石墨和萃取表面H原子产生活性位的作用;CH2基团比CH3基团能够更好地提高CVD金刚石薄膜的生长率,是薄膜生长过程中最有效基团;CH基团阻碍了薄膜的生长.

关键词：第一性原理、CVD金刚石薄膜、基团、生长机理、吸附演变

分类号：TQ127.1+1

资助基金：国家自然科学基金资助项目50845065;内蒙古自然科学基金资助项目2010Zd21;内蒙古科技大学创新基金资助项目2012NCL050

在线出版日期：2014-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：46-52