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10.3969/j.issn.1001-4381.2012.08.010

先驱体转化制备ZrO2改性SiC陶瓷的氧化行为研究

引用
采用先驱体转化法,以聚碳硅烷、二乙烯基苯和正丁醇锆为原料高温裂解制备了ZrO2改性的SiC陶瓷材料,结合XRD,SEM和EDS能谱等测试方法,研究ZrO2的添加对材料氧化行为的影响.结果表明:ZrO2引入后,SiC陶瓷材料在1600℃开始氧化,表面生成了SiO2阻氧层阻止气体逸出,宏观上形成气泡,到1700℃材料氧化较严重,表面变得凹凸不平,出现较多空洞,并且存在一定程度的失重;1700℃氧化后,含ZrO2的材料表面和内部均有一定程度的氧化,表面的主要成分为SiO2,内部有部分SiC发生了氧化,两种材料氧化层呈梯度分布;在高温氧化过程中,ZrO2会发生由四方相向单斜相的相变,SiC对ZrO2的相变具有抑制作用,而材料氧化后生成的SiO2则无法抑制ZrO2的相变.

ZrO2、SiC陶瓷、先驱体转化法、氧化行为

TQ174

国家自然科学基金重大专项资助90916002

2012-12-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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材料工程

1001-4381

11-1800/TB

2012,(8)

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