10.3969/j.issn.1001-4381.2012.07.012
后天抑制剂取向硅钢析出物的研究
采用“后天抑制剂法”制备取向硅钢,通过TEM研究热轧、常化、脱C和渗N阶段析出物的类型和分布.结果表明,热轧、常化和脱C板中的析出物主要是AIN颗粒,AlN颗粒在热轧、常化和脱C板中分布密度低;渗N后钢中形成非晶态Si3N4颗粒,非晶态Si3N4颗粒有多边形大块状和规则小四方形2种形貌,多边形大块状Si3N4颗粒分布在晶界,规则小四方形Si3N4颗粒主要分布在晶内.
硅钢、析出物、渗N、Si3N4
TG142.77(金属学与热处理)
2012-09-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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