多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响

摘要：

多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多孔硅的形貌、结构及单晶硅片的电阻率变化,研究不同电流密度制备的多孔硅对吸杂效果的影响,并从多孔硅的结构出发探究多孔硅吸杂的机理.结果表明,随电流密度增加,孔隙率明显增加,多孔硅在电流密度为100mA/cm2时,孔隙率最大;电流密度越大,多孔硅伴随所产生的弹性机械应力增加,晶格常数相应增加,这两个因素都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.

关键词：多孔硅、电化学腐蚀、吸杂性能、电阻率

分类号：O613.7;O646(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金51074032;中央高校基本科研业务费资助DUT092C3310

在线出版日期：2012-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：70-73