芯片上单链DNA生物膜的弯电性能分析

摘要：

基于非线性Poisson-Boltzmann (NLPB)方程和液晶薄膜弯电理论,利用Fogolari修正公式,建立了单链DNA (ssDNA)分子结构特征、溶液离子浓度等因素与生物膜电势、芯片宏观变形之间的非线性多尺度关系.结合现有的实验数据,拟合了单链DNA生物薄膜的弯电系数,并将生物膜电势分布及芯片变形的线性预测和非线性预测进行了比较,阐明了非线性多尺度关系的有效性.考察了DNA链片断数和封装密度等因素对芯片变形的影响.结果表明:随着DNA链片断数和封装密度的增加,芯片变形逐渐增加.

关键词：DNA生物膜、电势、变形、弯电效应、非线性Poisson-Boltzmann方程

分类号：Q66;R318.01(生物力学)

资助基金：国家自然科学基金10872121;上海市教育委员会科研创新项目09YZ07;国家杰出青年基金10725209;上海市重点学科建设S30106

在线出版日期：2012-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-14