双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm.对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究.结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加.提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%.

关键词：纳米硅、氢稀释比、光学带隙

分类号：TK511(特殊热能及其机械)

资助基金：国家重点基础研究发展计划资助项目2006CB202604;国家自然科学基金资助项目60576036;中国科学院知识创新工程重要方向资助项目1KGCX2-YW-383-1

在线出版日期：2011-12-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-7,13