气相渗硅工艺制备KD-1 SiCf/SiC 复合材料及其性能研究

摘要：

以国产KD-1型SiC纤维为增强体,采用化学气相沉积和酚醛树脂浸渍裂解获得两种碳源的多孔SiCf/C,通过气相渗硅工艺制备了KD-1 SiCf/SiC复合材料,对复合材料的微观结构和力学性能进行了研究.结果表明:不同碳源的多孔SiCf/C,经过气相渗硅得到SiCf/SiC复合材料的断裂韧性相差较大,分别为12.9,2.0MPa·m1/2.而对于酚醛树脂浸渍裂解制备的高孔隙率SiCf/C中间体,经过气相渗硅得到SiCf/SiC复合材料的密度及力学性能明显高于由低孔隙率SiCf/C得到的SiCf/SiC复合材料.

关键词：SiCf/SiC、气相渗硅、化学气相沉积

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：新世纪优秀人才支持计划NCET-07-0228

在线出版日期：2011-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-7,93