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10.3969/j.issn.1001-4381.2010.08.006

交流电化学沉积铜纳米线阵列及其机理探讨

引用
利用二次阳极氧化的方法制备孔高度有序的阳极氧化铝(AAO)为模板,采用交流电化学沉积方法,在AAO模板孔道内制备Cu纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对Cu纳米线的形貌、晶体结构进行研究.结果表明:模板的孔径均匀,孔道平直.Cu纳米线均匀分布在AAO模板纳米孔隙中,直径均一,并沿Cu(111)晶面择优生长;AAO模板孔道生长铜纳米线不光滑,成凹凸状,并对此沉积机理进行探讨.

交流电化学沉积、阳极氧化铝模板、铜纳米线阵列

O646.6;TB383(物理化学(理论化学)、化学物理学)

武汉市青年科技晨光计划资助项目20065004116-35

2011-01-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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材料工程

1001-4381

11-1800/TB

2010,(8)

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